[实用新型]双显过欠压保护器电路有效
| 申请号： | 202122703464.7 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN216121780U | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 颜厥顺;杨涛;杨倩;韦天齐;李海山 | 申请（专利权）人： | 浙江豪能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20;H02H3/24;H02H3/08;H02H3/06 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 孙晓林 |
| 地址： | 325600 浙江省温州市乐清*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型采用了一种双显过欠压保护器电路，该双显过欠压保护器电路包括磁保持电路与电源电路，所述的磁保持电路包括继电器K1、电阻R3‑R8、三极管U3‑U6，显过欠压保护器电路通过在磁保持电路中设置四个三极管，使得当双显过欠压保护器通电时，通过四个三极管相互工作，实现控制继电器常闭点跳转成常开点，由此解决双显过欠压保护器在运输过程中跌落，则会使得双显过欠压保护器内的磁保持继电器中的动点发生移动，使得其触点由常开变成常闭，造成双显过欠压保护器上电时，出现开机延时功能失常的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 电路 | ||
【主权项】：
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