[实用新型]新型光电池器件及光传感器有效
申请号: | 202122719425.6 | 申请日: | 2021-11-08 |
公开(公告)号: | CN217086597U | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 陈明艳;谢逸群;钱立玉 | 申请(专利权)人: | 浙江鸿之微信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京知果之信知识产权代理有限公司 11541 | 代理人: | 高科 |
地址: | 314001 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种新型光电池器件及光传感器。该新型光电池器件包括:绝缘衬底,光电结构,设置在所述绝缘衬底的顶部,用于产生光电效应;电极组,与所述光电结构相接触,用于将所述光电结构产生的电信号传输给接收设备;拉伸结构,与所述电极组相连,用于对光电结构施加拉伸应力;单层光电结构替代至少两层半导体PN结产生光电效应,且通过拉伸结构对光电结构施加拉伸应力,能够实现高偏振敏感,良好的光响应特性,简化了结构,且避免出现偏移的情况。本申请解决了结构复杂,光响应特性差,偏振敏感度不佳,且容易出现偏移的的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 新型 光电池 器件 传感器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的