[实用新型]一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料结构有效
| 申请号： | 202122794038.9 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN216980590U | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 赵鹏;邓功荣;杨文运;陈冬琼;李德香;肖婷婷;岳彪;朱琴;施静梅;杨绍培;袁俊;黄晖 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 周蜜 |
| 地址： | 650223 *** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种倒置3μm～4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料结构，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料结构从上向下依次为顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；采用分子术外延法制备得到。所述材料采用倒置nBn结构，在不增大器件表面漏电流的情况下有效减小器件横向扩散电流，进而降低器件暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒置 4.2 nbn inassb 红外探测器 材料 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
