[实用新型]整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件有效
| 申请号： | 202122801221.7 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN216311779U | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;张子敏;王宇澄;虞国新 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/872 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 涂三民;曹祖良 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件，它包括N‑型硅衬底、栅极氧化层、屏蔽栅多晶硅、栅极导电多晶硅、P‑型体区、N+型源区、第一正面金属、掩蔽层、势垒合金、P‑型柱、第二正面金属与背面金属。本实用新型将高功效沟槽MOS与肖特基二极管集成并联在一个元胞里，缩减电路的器件个数，同时也集成双器件的功能，有效保证开关的恢复效率，减少了并联体内寄生二极管的导通损耗，也整体降低器件的应用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 肖特基 二极管 沟槽 mos 功率 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
