[实用新型]一种像素结构及图像传感器

摘要

本申请属于半导体技术领域，提供了一种像素结构以及图像传感器，像素结构包括：衬底、传输晶体管栅极、旁路晶体管栅极、辅助离子掺杂区、保护层、介质层以及浮动扩散区，其中，旁路晶体管栅极与传输晶体管栅极设于衬底的第一面并且相邻，辅助离子掺杂区设于传输晶体管栅极及旁路晶体管栅极之间的衬底中，保护层设于传输晶体管栅极和旁路晶体管栅极显露的表面及其周围的衬底的第一面上，介质层设于保护层上，且具有贯通的互连注入接触孔，浮动扩散区设于互连注入接触孔对应的衬底中区域，并且辅助离子掺杂区的外缘超出对应位置的浮动扩散区的外缘；从而解决了图像传感器在高温暗光条件下出现白色像素过多等问题。