[实用新型]一种光利用率高的发光二极管有效
申请号: | 202122912245.X | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN216250773U | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 王享平 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇大光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/22 | 分类号: | H01L33/22;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/64 |
代理公司: | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人: | 王琦 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种光利用率高的发光二极管,包括底板,底板的上方设置有衬底,衬底的顶端设置有N型半导体层,N型半导体层顶端的中心位置处设置有N型电极层,N型电极层两侧的N型半导体层顶端皆设置有发光层,发光层的顶端设置有P型半导体层,P型半导体层的顶端设置有等间距的凸块,凸块远离P型半导体层的一端设置有P型电极层。本实用新型不仅使得光子在出射时经出光斜面可以提高出光率,进而提高了发光二极管使用时的光利用率,还达到了快速拆卸的目的,进而提高了发光二极管使用时的便捷性,而且能够降低保护罩内侧部件因高温而产生烧毁的现象,进而延长了发光二极管的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用率 发光二极管 | ||
【主权项】:
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