[实用新型]一种工件蚀刻装置有效
申请号: | 202122918159.X | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN216698297U | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 王诗成;蔡俊德 | 申请(专利权)人: | 普聚智能系统(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 苏州隆恒知识产权代理事务所(普通合伙) 32366 | 代理人: | 计静静 |
地址: | 215104 江苏省苏州市吴中区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种工件蚀刻装置,包括第一喷淋箱、工件载台和缓冲导流平台,工件载台用于承载待蚀刻的工件,第一喷淋箱固定连接在底板的一端,包括第一箱本体和第一喷淋部,第一喷淋部设于第一箱本体的一侧外壁上,包括开设有第一溢流口的第一导流台,第一导流台的出口具有朝下倾斜的第一斜面,第一溢流口位于第一斜面的上方,工件载台和缓冲导流平台均设于底板上,缓冲导流平台具有位于第一斜面下方的缓冲平面部和朝下倾斜的第二斜面。本实用新型的工件蚀刻装置可以在工件化学蚀刻过程中对工件表面实现均匀浸润,且不损伤蚀刻出来的微结构,角度能够灵活调节,便于工件的取放,保证蚀刻效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 工件 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造