[实用新型]一种断裂硅芯的连接结构有效

专利信息
申请号: 202122984539.3 申请日: 2021-11-30
公开(公告)号: CN216737603U 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 成世杰;曹玲玲;柴玉荣;郭梅珍;鲍守珍 申请(专利权)人: 亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 张巨箭
地址: 810007 青海*** 国省代码: 青海;63
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摘要: 实用新型公开了一种断裂硅芯的连接结构,属于多晶硅制造技术领域,所述连接结构包括依次连接的第一断裂硅芯(1)、中间连接硅芯(2)和第二断裂硅芯(3),所述第一断裂硅芯(1)的一端设有第一凹槽(11),所述第二断裂硅芯(3)的一端设有第二凹槽(31);所述中间连接硅芯(2)包括连接主体(21)以及从所述连接主体(21)的两端延伸出的连接部(22),所述连接部(22)的宽度大于所述连接主体(21)的宽度,所述第一凹槽(11)和第二凹槽(31)均为与所述连接部(22)适配的结构。本实用新型可以将多晶硅生产过程中的断裂硅芯进行稳固连接,极大地减少了硅芯的浪费,提升还原炉的生产产量,降低生产成本。
搜索关键词: 一种 断裂 连接 结构
【主权项】:
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