[实用新型]多晶硅还原炉的硅芯结构、多晶硅还原炉有效

专利信息
申请号: 202123024414.2 申请日: 2021-12-02
公开(公告)号: CN216512891U 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 李宇辰;马辉;胡西军;吉红平;王琳;施光明;郭光伟;李勇明;童占忠;祁永双;韩玲;王秀菊 申请(专利权)人: 亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11394 代理人: 孔鹏
地址: 810007 青海*** 国省代码: 青海;63
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摘要: 本申请提供一种多晶硅还原炉的硅芯结构、多晶硅还原炉,多晶硅生产设备技术领域。多晶硅还原炉的硅芯结构,包括平行且间隔设置的第一硅芯和第二硅芯,第一硅芯和第二硅芯均包括轴向方向的第一端和第二端,第一硅芯和第二硅芯的第一端用于与多晶硅还原炉的底盘上的电极连接,第二端连接有至少两根横梁,横梁的两端分别与第一硅芯和第二硅芯连接,至少两根横梁沿第一硅芯的轴向方向依次分布,且相邻两根横梁在第一硅芯的轴向方向具有间隙。其能够改善硅芯上下端温度的不均匀性,有利于形成上下直径及致密度一致的硅棒。
搜索关键词: 多晶 还原 结构
【主权项】:
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