[实用新型]用于LED芯片薄膜生长的集成设备

摘要

本实用新型用于LED芯片薄膜生长的集成设备，涉及LED芯片生产设备技术领域。包括工艺腔，工艺腔的内部设置有分气板，分气板连接工艺腔外部的X，Y，Z路三路进气管，缓冲组件，缓冲组件设置在工艺腔的其中一端，缓冲组件包括缓冲腔，缓冲腔的内部设置有多个卡匣，缓冲腔的内部设置有机械手，缓冲腔的外壁设置有真空泵，该实用新型用于LED芯片薄膜生长的集成设备设置了沉积氧化硅和氧化铝薄膜的集成设备，包括真空工艺腔，可沉积氧化硅薄膜，可沉积氧化铝薄膜，氧化硅薄膜沉积可采用等离子增强化学气相沉积方式或者ALD方式，氧化铝薄膜沉积可采用原子层沉积沉积方式。