[实用新型]一种用于PECVD设备的硅片自定位镀膜载板有效
申请号: | 202123063687.8 | 申请日: | 2021-12-07 |
公开(公告)号: | CN217600837U | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 陈臻阳;曾武扬;罗彩文;徐伟;张单辉 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50;H01L31/18 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 覃族 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于PECVD设备的硅片自定位镀膜载板,包括:载板本体,所述载板本体的内侧设有间隔筋,所述间隔筋的内侧设有硅片放置槽,所述间隔筋上均布有多个校正组件,多个所述校正组件均匀环绕在硅片放置槽四周,且校正组件的顶部呈圆弧状,所述校正组件用于辅助硅片在硅片放置槽内进行自动定位。本实用新型的硅片自定位镀膜载板具有结构紧凑、操作简单、自定位精度高且成本低廉等优点,极大地降低了自动化装载硅片设备的定位精度要求,同时也能避免了因载板运动过程中的抖动而导致硅片移出硅片放置槽范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 pecvd 设备 硅片 定位 镀膜 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的