[实用新型]一种背入式雪崩光电探测器芯片有效
申请号: | 202123212577.3 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN216528922U | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 南京扬字源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/02 |
代理公司: | 深圳市广诺专利代理事务所(普通合伙) 44611 | 代理人: | 赵耀 |
地址: | 210000 江苏省南京市建邺区汉*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及光电探测器技术领域,尤其为一种背入式雪崩光电探测器芯片,包括防护框,所述防护框的内部固定连接有探测器,所述防护框的一侧转动设置有翻盖背板,所述翻盖背板一侧的下方固定连接有第三插合块,所述第三插合块的外部设置有电磁铁,所述防护框一侧的下方开设有第三插合口,所述第三插合口的内部设置有电磁铁,本实用新型中,通过设置的U形夹持块能够对芯片进行夹持,将U形夹持块推入第二插合口的内部后第二插合口的内壁能够将第一插合块向内部推动,使按压防滑块按压探测芯片的两端进行固定,固定后通过螺纹杆对第二插合块进行整体固定,保持芯片稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 背入式 雪崩 光电 探测器 芯片 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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