[实用新型]温场下降的高质量氮化物单晶的生长系统有效
| 申请号： | 202123235797.8 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN216378478U | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 司志伟;刘宗亮;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B19/02 | 分类号： | C30B19/02;C30B19/08;C30B19/10;C30B29/40 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种温场下降的高质量氮化物单晶的生长系统。所述生长系统包括：助熔剂法氮化物单晶生长设备和升降机构，所述助熔剂法氮化物单晶生长设备包括可供氮化物单晶生长的生长腔室以及设置在所述生长腔室内的反应容器、第一加热机构和第二加热机构，所述第一加热机构至少用于在所述反应容器内部的第一区域形成第一温区，所述第二加热机构至少用于在所述反应容器内部的第二区域形成第二温区；所述升降机构与所述第一加热机构和第二加热机构中的至少一者传动连接。本实用新型实施例提供的一种生长系统，温度场随着熔液下降而降低，从而可以保障氮化物单晶的持续高速度生长，且使氮化物单晶的质量均一性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 下降 质量 氮化物 生长 系统 | ||
【主权项】：
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