[实用新型]一种mos晶体管有效
| 申请号： | 202123305010.0 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN216389380U | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 苏佩忠 | 申请（专利权）人： | 深圳市杜因特半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市汇信知识产权代理有限公司 44477 | 代理人： | 张志凯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种mos晶体管，涉及一种晶体管，本申请包括衬底、栅极、源级、漏级和沟道区，所述栅极设置有两组，所述源级和漏级对称在所述沟道区两侧，所述沟道区上下对称设置有栅极，所述栅极呈T型结构，所述T型结构延伸至沟道区内部，所述栅极的T型底部呈弧型，所述源级、栅极、漏级和沟道区设置在衬底上。在本申请中，首先通过将栅极对称设置在源级、漏级和沟道的两侧，使得能够在两侧的栅极均能够施加电压，使得mos晶体管导通工作，从而能够降低静态损耗，同时本申请通过采用T型的栅极，使得能够提高mos晶体管的电学性能，从而使得mos晶体管能够快速的实现开关状态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
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