[实用新型]气体混合装置和半导体工艺设备

摘要

本实用新型提供了一种气体混合装置和半导体工艺设备，应用于半导体工艺设备技术领域。具体的，其是在现有的用于进行低压化学气相沉积工艺的反应腔室的一侧添加一用于混合气体的预混罐，然后，将在预混罐中经过充分混合后的混合反应气体通过2条出气管路通入到所述低压化学气相沉积工艺的反应腔室中，从而实现了在反应前先均匀充分的混合了反应气体，并将现有的用于进行低压化学气相沉积工艺是4条出气管路减少为2条，进而在改善反应气体均匀性、减轻形成在晶圆表面上的膜层的片数效应的同时，降低了用于进行低压化学气相沉积工艺的反应设备的设备成本和维护难度。