[实用新型]LED芯片有效
申请号: | 202123437002.1 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN217009212U | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 闫其昂;王国斌 | 申请(专利权)人: | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/00 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 210000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种LED芯片,包括:衬底;外延结构,位于所述衬底的表面,所述外延结构包括发光层;氮化物限制层,位于所述外延结构背离所述衬底的表面,所述氮化物限制层中设置有开口,以暴露出部分所述外延结构背离所述衬底的表面;透明导电层,填满所述开口,并覆盖所述氮化物限制层背离所述衬底的表面。上述LED芯片,氮化物限制层中设置有开口,透明导电层填满该开口并覆盖于氮化物限制层的上表面,与氮化物限制层之间形成了高势垒接触,当通过开口附件的透明导电层形成载流子注入发光层时,载流子被有效限制在刻蚀开口下方,极大地降低侧壁缺陷对载流子的捕获,提高载流子注入效率。 | ||
搜索关键词: | led 芯片 | ||
【主权项】:
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