[发明专利]探测基板及其制造方法、平板探测器及其制造方法在审
申请号: | 202180000568.1 | 申请日: | 2021-03-24 |
公开(公告)号: | CN115398634A | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 赵斌;徐帅;许彬彬;侯学成;李金钰;张晔;车春城 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/67;G09G3/00 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及光电探测技术领域,具体而言,涉及一种探测基板、探测基板的制造方法、平板探测器及平板探测器的制造方法。探测基板包括:基板(10),包括探测区(D)、绑定区(C)、可控通断区(B)和切割区(A);多个探测单元,设于所述基板(10)上,所述探测单元包括位于所述探测区(D)上的晶体管和光敏器件,所述晶体管包括栅极(21)、第一极(24)和第二极(25);所述光敏器件与所述晶体管的第一极(24)或第二极(25)连接;多个导线(212),设于所述基板(10)上,一端与多个所述探测单元中所述晶体管的栅极(21)一一对应连接,另一端延伸至所述绑定区(C);导电环(210),设于所述基板(10)的切割区(A)上;多个检测线(211),设于所述基板(10)上,一端与所述导电环(210)连接,另一端与所述多个导线(212)一一对应连接,且穿过所述可控通断区(B);其中,位于所述可控通断区(B)上的所述检测线(211)能够具有断开状态。本方案的探测基板能够降低静电由边缘引入的风险性,实现静电及时疏导以避免损伤器件。 | ||
搜索关键词: | 探测 及其 制造 方法 平板 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的