[发明专利]存储器件及其编程操作有效
| 申请号： | 202180000854.8 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113196402B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 黄开谨;闾锦;刘刚 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/14;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 在某些方面，一种存储器件包括第一存储串，该第一存储串包括第一漏极、第一漏极选择栅(DSG)晶体管、第一存储单元、以及在第一漏极和第一DSG晶体管之间的第一漏极虚设晶体管。存储器件还包括耦合到第一漏极的第一位线、耦合到第一漏极虚设晶体管的第一漏极虚设线、耦合到第一DSG晶体管的第一DSG线、分别耦合到第一存储单元的多个字线、以及外围电路，该外围电路被配置为对耦合到所述字线中的选定字线的第一存储单元中的目标存储单元执行编程操作。为了执行编程操作，外围电路包括：位线驱动器，其耦合到第一位线并且被配置为施加第一位线电压以选择第一位线；以及字线驱动器，其耦合到第一漏极虚设线和第一DSG线，并且被配置为向第一DSG线施加DSG电压以接通第一DSG晶体管，并且向第一漏极虚设线施加漏极虚设线电压以接通第一漏极虚设晶体管。漏极虚设线电压大于DSG电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 编程 操作 | ||
【主权项】：
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