[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202180000972.9 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113228297A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 郝荣晖;何川;黃敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种氮基半导体器件，包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一应变补偿层和第一保护层。第二氮基半导体层设置在第一氮基半导体层上，并且具有的带隙大于第一氮基半导体层的带隙。源极电极和漏极电极设置在第二氮基半导体层上方。栅极电极设置在源极电极和漏极电极之间。第一应变补偿层设置在第二氮基半导体层之上方并且在漏极电极和栅极电极之间。第一保护层覆盖第一应变补偿层以形成第一界面，其中第一界面和第二氮基半导体层之间的垂直距离沿着从栅极电极往漏极电极的方向增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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