[发明专利]薄膜晶体管、半导体基板和X射线平板探测器在审
| 申请号： | 202180001030.2 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN114175271A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 黄杰;李正亮;宁策;胡合合;姚念琦;赵坤;刘凤娟;周天民;雷利平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/768 | 分类号： | H01L29/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒;王锐 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管(TFT)包括：栅极(170)、有源层(SL)、位于栅极(170)和有源层(SL)之间的栅极绝缘层(160)、以及电连接到所述有源层(SL)的源极(181)和漏极(182)。有源层(SL)包括在堆叠方向上重叠设置的沟道层(CL)和至少一个沟道保护层(PL1；PL2)，沟道层(CL)和至少一个沟道保护层(PL1；PL2)每个的材料均为金属氧化物半导体材料。至少一个沟道保护层(PL1；PL2)为结晶层，且至少一个沟道保护层(PL1；PL2)的金属元素包括非稀土金属元素，所述非稀土金属元素包括In、Ga、Zn和Sn。这样，能够有效减少沟道层的缺陷，从而有效改善了薄膜晶体管的整体稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体 射线 平板 探测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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