[发明专利]用于形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202180001146.6 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113228279A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘修忠;张豪;郭海峰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种用于制造半导体结构的方法。根据一些方面，在衬底上形成第一层，并且执行蚀刻操作以形成垂直延伸穿过所述第一层的开口。在衬底上执行热处理以去除在形成开口时残留在开口中的残留物。在热处理中至少提供氧气，以在800℃和1300℃之间的处理温度下与所述残留物发生反应。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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