[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202180001630.9 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113519064B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 郝荣晖;陈扶;黃敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氮基半导体器件，包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极和单场板。源极电极、漏极电极和栅极电极设置在第二氮基半导体层上。栅极电极位于源极电极和漏极电极之间。单场板设置在栅极电极上并向漏极电极延伸。场板具有第一端部、第二端部和中间部分。第一和第二端部的高度实质上相同。中间部分的多个部分位于比第一和第二端部低的位置，并且第一端部以大于栅极电极的宽度的长度横向地延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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