[发明专利]三维NAND存储器及其制造方法在审

申请号：	202180003248.1	申请日：	2021-08-26
公开（公告）号：	CN114846604A	公开（公告）日：	2022-08-02
发明（设计）人：	吴林春;张坤;周文犀	申请（专利权）人：	长江存储科技有限责任公司
主分类号：	H01L27/1157	分类号：	H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11556
代理公司：	北京永新同创知识产权代理有限公司 11376	代理人：	林锦辉;刘景峰
地址：	430074 湖北省武***	国省代码：	湖北;42
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摘要：	本公开提供了一种用于形成三维(3D)存储器器件的方法。该方法包括：在衬底(330)之上设置交替电介质堆叠体(654)，其中交替电介质堆叠体(654)包括交替堆叠在衬底(330)上的第一电介质层(656)和第二电介质层(658)。该方法还包括：形成穿透交替电介质堆叠体(654)并延伸到衬底(330)中的沟道结构(761)，其中沟道结构(761)包括设置在存储器膜(337)的侧壁上的沟道层(338)。该方法还包括：去除衬底(330)及存储器膜(337)的延伸到衬底(330)中的部分，以暴露沟道层(338)的部分；以及在沟道层(338)的暴露部分上设置阵列公共源极(ACS)(1280)。
搜索关键词：	三维 nand 存储器及其制造方法
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