[发明专利]三维存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202180003863.2 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114175253B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王启光;蒲浩;李拓;赵英杰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了三维(3D)NAND存储装置和方法。在一个方面中，一种制造方法包括形成层堆叠体、沟道孔、阻挡层、电荷陷阱层、隧道绝缘层和沟道层。电荷陷阱层的表面区域包括碳区域，所述碳区域包括特定量的碳元素。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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