[发明专利]三维存储器器件及其形成方法

摘要

在某些方面中，公开了一种用于形成三维(3D)存储器件的方法。在单晶硅衬底的第一侧上的第一区域中形成晶体管。在单晶硅衬底的第一侧上的第二区域中形成台阶层。形成延伸穿过堆叠体结构并且与台阶层接触的沟道结构。堆叠体结构包括在台阶层上的交错的电介质层和导电层。从单晶硅衬底的与第一侧相对的第二侧去除单晶硅衬底的在第二区域中的部分以从第二侧暴露台阶层。