[发明专利]氮化物基半导体模块及其制造方法有效
| 申请号： | 202180004494.9 | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114391305B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 姚卫刚;周春华 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/18 | 分类号： | H05K1/18;H05K3/30 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包括可移除地压配在形成于印刷电路板(50A)中的腔(510A)中的半导体装置(30A)的半导体模块(10A)及其制造方法。所述半导体装置(30A)和所述印刷电路板(50A)的腔(510A)可彼此配合并分别充当电插头和电插座。可以免去在所述印刷电路板(50A)上焊接所述半导体装置(30A)。因此，封装过程可以更加灵活，且焊料接头的可靠性问题可被去除。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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