[发明专利]用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法

摘要

本公开内容提供了一种用于形成三维存储器器件的方法。该方法包括在垂直于衬底的第一方向上在衬底上设置交替电介质堆叠体；以及在交替电介质堆叠体中形成阶梯结构和分隔壁。阶梯结构与分隔壁在平行于衬底的第二方向上延伸，并且分隔壁与阶梯结构相邻。该方法还包括在阶梯结构上依次形成第一阻挡层和不同于第一阻挡层的第二阻挡层。该方法还包括在分隔壁中形成栅极线缝隙(GLS)开口。GLS开口在第一方向上穿透交替电介质堆叠体，并且在平行于衬底并且垂直于第二方向的第三方向上远离第二阻挡层。