[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202180005544.5 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114467182A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 内田美佐稀;吉村尚;泷下博;洼内源宜;根本道生 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/322;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的缓冲区，其配置于半导体基板的下表面侧，并具有两个以上的掺杂浓度峰；第一导电型的高浓度区，其配置于缓冲区与半导体基板的上表面之间，在深度方向上具有50μm以上的长度，且施主浓度比体施主浓度高；以及第一导电型或第二导电型的下表面区域，其配置于缓冲区与半导体基板的下表面之间，且掺杂浓度比高浓度区的掺杂浓度高，缓冲区的掺杂浓度峰中的最接近半导体基板的下表面的最浅掺杂浓度峰是浓度比其他的掺杂浓度峰高的氢施主的浓度峰，最浅掺杂浓度峰的峰浓度A与其他的掺杂浓度峰的平均峰浓度B之比A/B为200以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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