[发明专利]通过使用选择性沉积金属衬垫的混合晶片接合来形成的接合组件在审
| 申请号： | 202180006685.9 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN114766061A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 侯琳;P·拉布金;陈杨胤;东谷政昭 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陈亚男;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括自组装材料的成核抑制层可形成在接合介电层的表面上，而不会将该自组装材料沉积在第一半导体管芯的第一金属接合垫的物理暴露表面上。包括第二金属的金属衬垫可形成在该金属接合垫的该物理暴露表面上，而不会将该第二金属沉积在该成核抑制层上。通过在第二半导体管芯的该第一金属接合垫和该第二金属接合垫的配合对之间诱导金属到金属接合来将该第一半导体管芯接合到该第二半导体管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 使用 选择性 沉积 金属 衬垫 混合 晶片 接合 形成 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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