[发明专利]薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置在审
| 申请号： | 202180007423.4 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114846585A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 泉直史 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/53;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;刘余婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置，在从薄化晶片分离剩余晶片时，能够尽量不使薄化晶片破损。具备：脆弱层形成工序，形成沿着半导体晶片(WF)的一个面(WFA)的面状的脆弱层(WL)，并以该脆弱层(WL)为界将半导体晶片(WF)划分为薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)；以及分离工序，支撑半导体晶片(WF)中的薄化晶片(WF1)侧和剩余晶片(WF2)侧中的至少一个，使薄化晶片(WF1)与剩余晶片(WF2)分离，在分离工序中，使薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)从半导体晶片(WF)的外缘部的一端部(WFF)朝向该半导体晶片(WF)的外缘部的另一端部(WFR)逐渐分离。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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