[发明专利]用于光电器件信噪比的增强的结构和材料工程方法在审
| 申请号： | 202180010739.9 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN115004372A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 陈泰舟;舒伯特·S·楚;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;约翰·蒂莫西·博兰德;叶祉渊;洛里·华盛顿;陶冼智;黄奕樵;吴贞莹 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括：在传感器基板的正面之上形成互连结构，从传感器基板的背面使传感器基板变薄，将沟槽蚀刻进传感器基板中，预清洁传感器基板的暴露的表面，直接在传感器基板的经预清洁的暴露的表面上外延生长电荷层，并且在经蚀刻的沟槽内形成隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光电 器件 增强 结构 材料 工程 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
