[发明专利]单芯片多波段发光二极管在审
| 申请号： | 202180012704.9 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN115053358A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 白龙贤;姜志勳;金材宪;朴志焄 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/06;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 全振永;姜长星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一实施例的发光二极管包括：n型氮化物半导体层；V形坑生成层，位于所述n型氮化物半导体层的上部并具有V形坑；活性层，位于所述V形坑生成层上；以及p型AlGaN层，位于所述活性层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述p型AlGaN层上，其中，所述活性层包括阱层，所述阱层具有沿所述V形坑生成层的平坦的面形成的第一阱层部分以及在所述V形坑生成层的V形坑内形成的第二阱层部分，所述第一阱层部分发出第一峰值波长的光，所述第二阱层部分发出与所述第一峰值波长不同的第二峰值波长的光，并且所述发光二极管不包括荧光体。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 波段 发光二极管 | ||
【主权项】：
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