[发明专利]具有电过应力完整性的高电压隔离屏障在审
| 申请号： | 202180012715.7 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN115053329A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·A·韦斯特 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/76;H01L23/485;H01F27/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电子装置(100)包括多层级金属化结构(103)，所述多层级金属化结构(103)位于半导体层(101)上方且包含第一区域(196)、第二区域(198)、所述半导体层(101)上的预金属层级(110)及所述预金属层级(110)上方的N个金属化结构层级(120、130、140、150、160、170、180)，N大于3。所述电子装置(100)还包括：所述第一区域(196)中的隔离组件(104)，所述隔离组件(104)包含位于不同的相应金属化结构层级(130、180)中的第一端子(106)与第二端子(108)；以及所述多层级金属化结构(103)中的所述第一区域(196)与所述第二区域(198)之间的导电屏蔽件(105)，所述导电屏蔽件(105)包含所述相应金属化结构层级(120、130、140、150、160、170、180)中的包围所述第一区域(196)的经互连金属线(126、136、146、156、166、176、186)及沟槽通路(118、128、138、148、158、168、178)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 完整性 电压 隔离 屏障 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司，未经德州仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180012715.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
