[发明专利]包含具有强垂直磁各向异性的顶部磁性钉扎层的MTJ堆叠在审
| 申请号： | 202180013166.5 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN115053349A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 禹成勋;M·G·哥特瓦尔德 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;刘薇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种包含磁性钉扎分层结构的顶部钉扎磁性隧道结(MTJ)堆叠，该磁性钉扎分层结构包括具有强垂直磁各向异性(PMA)的第二磁性钉扎层。磁性钉扎分层结构包括位于具有体心立方(BCC)纹理的第一磁性钉扎层与第二磁性钉扎层之间的晶粒生长控制层。晶粒生长控制层的存在有利于具有面心立方(FCC)纹理或六方密堆积(HCP)纹理的第二磁性钉扎层的形成，进而促进针对磁性钉扎分层结构中的第二磁性钉扎层的强PMA。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 具有 垂直 各向异性 顶部 磁性 钉扎层 mtj 堆叠 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
