[发明专利]用于含硅膜高温沉积的前体

摘要

在高温ALD处理中使用含硅前体的反应在半导体衬底上沉积具有高质量的含硅膜，例如氧化硅膜。在一些实施方案中，所提供的前体适合于在至少约500℃，例如大于约550℃的温度下沉积含硅膜。例如，可以通过含硅前体与衬底表面上的含氧反应物(例如O3、O2、H2O)的反应，在高温下沉积氧化硅。在一些实施方案中，合适的前体包括至少一个硅‑硅键、至少一个离去基团(例如卤素)和任选地至少一个给电子基团(例如烷基)。在一些实施方案中，前体适用于热ALD和PEALD。在一些实施方案中，在热ALD和PEALD中在单个氧化硅膜的沉积期间使用单一前体。