[发明专利]结构体的制造方法和结构体的制造装置在审
| 申请号： | 202180013632.X | 申请日： | 2021-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN115066741A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 堀切文正;福原昇 | 申请（专利权）人： | 株式会社赛奧科思;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少上表面由Ⅲ族氮化物晶体构成的蚀刻对象物、和作为接受电子的氧化剂而含有过二硫酸根离子的碱性或酸性的蚀刻液的工序；在使所述蚀刻对象物旋转，并且所述蚀刻对象物的上表面浸渍于以生成硫酸根自由基的方式被加热后的所述蚀刻液中的状态下，对于蚀刻对象物的上表面照射光的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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