[发明专利]半导体膜、光检测元件、图像传感器及半导体膜的制造方法在审
| 申请号： | 202180013675.8 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN115066757A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 小野雅司;高田真宏 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0248 | 分类号： | H01L31/0248;B82Y20/00;H01L21/368;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 薛海蛟 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体膜，其包含含有Pb原子的半导体量子点的集合体和与半导体量子点配位的配体，1价以下的Pb原子的个数相对于2价Pb原子的个数之比为0.20以下。也提供一种包含半导体膜的光检测元件及图像传感器。也提供一种半导体膜的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 元件 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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