[发明专利]半导体光器件及半导体光器件的制造方法在审
| 申请号： | 202180013696.X | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN115088148A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 松原礼高;长谷川淳一;片山悦治;黑部立郎 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;G02B6/43 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体光器件例如具备：基座，与第一方向交叉；第一突出部，从基座向第一方向突出，具有平面光波电路，该平面光波电路具备芯层和将芯层包围的包层；第二突出部，从基座向第一方向突出，且与第一突出部排列在与第一方向交叉的第二方向上，第一方向上的距基座的高度要低于第一突出部；光半导体元件，被载置于第二突出部的第一方向的端面上，且与芯层光学性地连接；以及标记，在端面上露出地设置于第二突出部，且用与芯层相同的材料来制作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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