[发明专利]用于干法去除光致抗蚀剂的处理工具在审
| 申请号： | 202180015520.8 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN115152008A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 德赖斯·狄克特斯;蒂莫西·威廉·威德曼 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 含金属极紫外辐射(EUV)光致抗蚀剂的干法显影或干法去除在大气条件下进行或在没有真空设备的处理工具中进行。可以在大气压或过大气压下进行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。可以通过暴露于空气环境或使用非氧化性气体来执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。处理室或模块可以被修改或集成以利用烘烤、晶片清洁、晶片处理或其他光致抗蚀剂加工功能执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。在一些实施方案中，用于干法去除含金属的EUV光致抗蚀剂的处理室包括用于局部加热半导体衬底的加热组件和用于在半导体衬底上方进行局部气体输送的可移动排放喷嘴。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 光致抗蚀剂 处理 工具 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
