[发明专利]热ICE填充和凹部蚀刻匹配在审
| 申请号： | 202180017703.3 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN115280488A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 伊恩·约翰·科廷;道格拉斯·沃尔特·阿格纽;马姆鲁·艾麦德;约瑟夫·R·阿贝尔;阿维尼什·古普塔;阿德里安·拉沃伊 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11582;H01L21/02;H01L21/311;C23C16/04;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 描述了NAND结构和该结构的制造方法。多层ONON堆叠件沉积在Si衬底和生长于衬底上的场氧化物上。将场氧化物的一部分移除，并在堆叠件中蚀刻高深宽比通道。利用热ALD工艺以Si氧化物填充通道。热ALD工艺包含多个生长循环，其后为钝化循环。每个生长循环包含利用抑制剂处理表面氧化物表面，其后接着进行利用前体和氧化物源在经处理的表面上沉积氧化物的多个循环。生长循环后的钝化将残留抑制剂去除。Si氧化物利用DHF的湿法化学蚀刻进行凹部蚀刻，且接着利用多晶Si盖层进行覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | ice 填充 蚀刻 匹配 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180017703.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于东西向数据流量的位置感知路由
- 下一篇：用于车轮的紧急轮附接件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
