[发明专利]基于电子干涉的反相器在审
| 申请号： | 202180017836.0 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN115244707A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张坤好;N·乔杜里 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/778;H01L29/20;B82Y10/00;G06F7/38;G06N10/40;G06N10/20;G06N10/60;H03K19/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 杨雪玲;叶朝君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 半导体器件包括至少三个臂。第一臂和第二臂的沟道延伸至第三臂的沟道。当因第一电压的施加而产生的电流从第一臂向第二臂流动时，生成从第一臂和第二臂的沟道到第三臂的沟道的弹道电子流。鳍结构位于第三臂中并且包括处于该鳍结构上方的栅极。栅极是使用第二电压来控制的。鳍结构被形成为对能量场结构进行感应，该能量场结构按第二电压的量移位，以控制栅极的弹道电子流穿过的开口，从而使弹道电子经受衍射然后经受干涉，该开口又改变耗尽宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电子 干涉 反相器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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