[发明专利]制造光电子器件的方法和光电子器件在审
| 申请号： | 202180018181.9 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN115152038A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | S·斯托尔;M·劳布舍尔 | 申请（专利权）人： | 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46;H01L33/50;H01L33/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于制造光电子器件（1）的方法，具有以下步骤：A）提供多个发射辐射的半导体芯片（2），所述多个发射辐射的半导体芯片被设置为在运行期间发射第一波长范围的初级辐射，B）将被设置用于发射第二波长范围的次级辐射的转换器（3）施加到所述多个发射辐射的半导体芯片（2）上，C）施加镜层序列（4），所述镜层序列（4）被设置用于反射所述初级辐射并透射所述次级辐射，其中所述镜层序列（4）布置在所述转换器（3）的下游，D）分离所述多个发射辐射的半导体芯片（2）以产生光电子器件（1）。此外说明了一种通过该方法制造的光电子器件（1）。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 光电子 器件 方法 | ||
【主权项】：
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