[发明专利]半导体激光装置在审

专利信息
申请号: 202180018189.5 申请日: 2021-02-12
公开(公告)号: CN115244802A 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 深草雅春 申请(专利权)人: 松下控股株式会社
主分类号: H01S5/02255 分类号: H01S5/02255;H01S5/02326;H01S5/14
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 半导体激光装置(1)具备:半导体激光元件(11a~11d、12a~12d),所述半导体激光元件(11a~11d、12a~12d)分别射出波长不同的激光(L1、L2);准直透镜(21a~21d、22a~22d),所述准直透镜(21a~21d、22a~22d)用于将激光(L1、L2)进行平行光化;衍射光栅(50),激光(L1、L2)分别以不同的入射角入射于所述衍射光栅(50),并且所述衍射光栅(50)使入射的各激光(L1、L2)的行进方向根据波长发生变化,来生成将激光(L1、L2)进行合成所得到的出射光(L10);反射镜(41、42),所述反射镜(41、42)具有用于使激光(L1、L2)分别以与各激光(L1、L2)对应的入射角入射于衍射光栅(50)的反射面;以及多个反射面(311、321),所述多个反射面(311、321)用于将激光(L1、L2)分别向反射镜(41、42)引导。
搜索关键词: 半导体 激光 装置
【主权项】:
暂无信息
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