[发明专利]光子设备的制造方法在审

专利信息
申请号: 202180028260.8 申请日: 2021-03-01
公开(公告)号: CN115427855A 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: N·库马 申请(专利权)人: 普赛昆腾公司
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12;G02F1/035;B82Y20/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 汪晶晶
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 电光设备和用于构造电光设备(诸如开关或移相器)的方法。电极层被沉积在衬底层上,波导结构被沉积在电极层上,第一包覆层被沉积在波导结构上,并且第一包覆层被平坦化并键合到晶片。移除衬底层并蚀刻电极层以将电极层拆分成与第二电极分离的第一电极。第二包覆层被沉积在蚀刻的电极层上。第一电极和第二电极可以由具有大介电常数的材料构成,或者它们可以由具有大电子迁移率的材料构成。设备可以呈现夹层波导体系架构,其中电光层部署在两个条形波导之间。
搜索关键词: 光子 设备 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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