[发明专利]半导体元件的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 202180029879.0 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN115443544A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 东克典;泽田达郎 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体元件的制造方法包含如下工序：在基板(11)的表面(11a)上具有开口(22)，在开口(22)的周围上表面区域留下高低差(23)地设置掩模(21)；使半导体从自开口(22)露出的表面(11a)外延生长到周围上表面区域上，制作具有半导体层(31)的半导体元件，该半导体层(31)具有转印有高低差(23)的第一面；和对与掩模(21)相接的半导体层(31)的第一面进行干式蚀刻，来转印高低差(23)。掩模(21)包含成为半导体层(31)中的供体或受体的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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