[发明专利]利用侧壁空穴注入增强的基于量子阱的LED结构在审
| 申请号： | 202180035225.9 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN115606004A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 本杰明·梁;蔡淼山 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/04;H01L33/06;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;周亚荣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发光二极管(LED)结构，包含具有模板顶表面的半导体模板、在所述半导体模板上方形成的有源量子阱(QW)结构，以及p型层。所述p型层具有面向所述有源QW和所述模板顶表面的底表面。所述底表面包含凹陷侧壁。所述p型层的凹陷侧壁被配置以用于促进空穴穿过所述有源QW结构的QW侧壁注入到所述有源QW结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 侧壁 空穴 注入 增强 基于 量子 led 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于谷歌有限责任公司，未经谷歌有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180035225.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
