[发明专利]半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物在审
| 申请号： | 202180036504.7 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN115668459A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 奥村雄三;福井由季;盐田彩织;照井贵阳;公文创一 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D17/08;C11D7/04;C11D7/08;C11D7/18;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/50 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体基板的表面处理方法是对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与未形成图案的图案未形成区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，前述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，前述方法包括表面处理工序，其使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触半导体基板的主表面的图案形成区域及图案未形成区域，在表面处理工序后的图案未形成区域的表面上的、对2‑丙醇的IPA接触角在室温25度下为2°以上、和/或对纯水的水接触角在室温25度下为50°以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 处理 方法 组合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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