[发明专利]导电性颗粒、使用其的导电性材料和连接构造体在审
| 申请号： | 202180036685.3 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN115667580A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 高桥哲;田杉直也;成桥智真 | 申请（专利权）人： | 日本化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C18/36 | 分类号： | C23C18/36;B22F1/17;B22F1/18;B22F1/10;C23C18/16;C23C18/31;C23C18/34;C23C18/52;G01N27/62;H01B1/00;H01B1/02;H01B1/22;H01B5/00;H01B5/16 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;谢弘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种兼具优异的保存稳定性、优异的耐腐蚀性和低的连接电阻的导电性颗粒，在芯材颗粒的表面形成有作为导电层的镍镀层，在导电性颗粒中，利用扫描型俄歇电子分光分析装置测得的从上述导电层的表面至深度方向5nm以内的碳相对于镍与磷的合计的摩尔比(C/(Ni+P))、或碳相对于镍与硼的合计的摩尔比(C/(Ni+B))为0.0002以上1.65以下，氧相对于镍与磷的合计的摩尔比(O/(Ni+P))、或氧相对于镍与硼的合计的摩尔比(O/(Ni+B))为0.0001以上1.8以下，并且磷相对于镍的摩尔比(P/Ni)、或硼相对于镍的摩尔比(B/Ni)为0.003以上0.7以下。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 颗粒 使用 材料 连接 构造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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