[发明专利]介电表面的湿式官能化在审
| 申请号： | 202180037052.4 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115769362A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李·J·布罗根;马修·马丁·休伊;刘艺华;乔纳森·大卫·里德 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/285;H01L21/288;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 多种实施方案涉及形成互连件结构或该互连件结构的一部分的方法、装置和系统。该方法可包括将衬底与官能化浴接触以形成经改性的第一材料，其中该官能化浴包含第一溶剂及官能化反应物，接着经由无电镀覆、电镀、化学气相沉积或原子层沉积而在经改性的第一材料上沉积第二材料。根据多种实施方案，第一材料可以是介电材料、阻挡层或衬垫，而第二材料可以是阻挡层或阻挡层前体、衬垫、晶种层或者形成互连件结构的互连件的导电金属。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 官能 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
