[发明专利]电磁波检测器以及电磁波检测器组件在审
| 申请号： | 202180038946.5 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN115803897A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 小川新平;岛谷政彰;福岛昌一郎;奥田聪志 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;G01J1/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 于丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 电磁波检测器(100)具备半导体层(4)、第1绝缘膜(3a)、二维材料层(1)、第1电极(2a)、第2电极(2b)、第2绝缘膜(3b)和控制电极(2c)。第1绝缘膜(3a)配置于半导体层(1)上。在第1绝缘膜(3a)形成有开口部(OP)。二维材料层(1)在开口部(OP)电连接于半导体层(4)。二维材料层(1)从开口部(OP)上延伸直至第1绝缘膜(3a)。第2绝缘膜(3b)与二维材料层(1)相接。控制电极(2c)隔着第2绝缘膜(3b)连接于二维材料层(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁波 检测器 以及 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
